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9月9日，关注FD-SOI工艺的2016上海FD-SOI论坛开幕，来自业界的约280位公司CEO，研究院所和技术高管齐聚，我司代表应邀参加了此次论坛。
会议由芯原股份有限公司创始人董事长兼总裁戴伟民主持。中国科学院院士，上海微系统与信息技术研究所所长王曦，华芯投资总裁路军、中科院微电子所所长叶甜春在会上分别致辞，祝贺论坛的举办。
戴伟民博士作了题为《打造中国的FD-SOI生态系统》的演讲，从FD-SOI技术工艺、FD-SOI在中国的发展现状和未来在中国的发展趋势等几个方面与与会来宾进行了深入的分析与交流。
图为芯原股份有限公司创始人董事长兼总裁戴伟民主持论坛
中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦在论坛致辞中说道： “2016年是对IC行业非常好的一年，FD-SOI是个非常高性价比的方案，中国在FD-SOI应用发挥了巨大的作用”。华芯投资总裁路军认为FD-SOI的高性能和低功耗将成为FinFET工艺的有力补充。
图为中国科学院院士，上海微系统与信息技术研究所所长王曦
图为华芯投资总裁路军致开幕词
图为中科院微电子所所长叶甜春在发表演讲
科院微电子所所长叶甜春在讲话中表示：他见证了FD-SOI不断壮大，在未来物联网大数据日益走热的背景下，FD-SOI如果有大规模商用，是不是要考虑一个商业模式问题？FD-SOI有天然的优势，是不是要考虑终端厂家从产品定义角度来发挥这个工艺的优势？
会上，三星LSI执行副总裁Jong-Shik
Yoon、格罗方德产品管理高级副总裁Alain Mutricy、索尼物联网事业部总经理Nobuyasu Matsuoka、ARM物理IP总经理Will Abbey、格罗方德首席技术官兼全球研发高级副总裁Gary Patton、IBS首席执行官Handel
Jones、CEA-Leti首席执行官Marie-Noelle
Semeria、复旦微电子总工程师沈磊、Invecas首席执行官Dasaradha Gude、Ineda Systems副总裁Manoher Bommena、Soitec首席执行官Paul Boudre、联芯科技高级副总裁成飞、格罗方德副总裁Subramani
Kengeri、展讯通讯首席执行官李力游等与会专家从多方位、多角度的方面阐述了FD-SOI的广泛应用，与会专家一致表示未来FD-SOI在中国的发展前景潜力巨大，FD-SOI与FinFET的互补,是中国芯片业弯道超车机会，助力中国半导体业快速崛起。
目前晶圆制造工艺有多种选择，其中以FinFET工艺和FD-SOI工艺最具代表性。FinFET（鳍式场效晶体管）工艺是目前主流的晶圆制造工艺，被包括台积电，三星，英特尔，联电等晶圆厂广泛采用。2011年，英特尔公司正式推出商业化的FinFET工艺同时使用22nm工艺，目前16nm及14nm工艺也已近成功量产。FinFET工艺性能先进，功耗低，面积小，适合生产制造手机，平板电脑等便携铲平处理器。FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）工艺具有工艺简单，成本低，兼容性强等优势，有望成为其30纳米以下的工艺节点中成本效益最高的制造工艺，并及Bulk CMOS工艺的有力替补。
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