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我司代表参加2018台湾资讯储存技术协会年会

发布时间:2018-11-06 文章来源:本站  浏览次数:15111

  10月30日,台湾信息储存技术协会在台北晶华酒店举办第十五届台湾信息储存技术协会年会。我司代表受邀参加了此次活动。

  会上,颁发了第15届台湾信息储存技术奖项,今年 “杰出信息储存奖章”得奖者为国立交通大学终身讲座教授施敏教授,他与其领导的团队在51年前发明了“浮动闸极存储效应(Floating Gate Memory  Effect)”,此奖章也是台湾信息储存界最高的荣誉奖。

  施敏博士于1967年发现“浮动闸极存储效应(Floating Gate Memory  Effect)”,此一重大的发现成为包括闪存(Flash Memory)在内所有可程序化“非挥发性半导体存储器件”的基础,这项划时代的发现促成信息储存的革命性发展并开启了数字时代。

  活动期间,我司代表与施敏教授,以及其他产业领袖、专家学者进行了深入的沟通交流,为两地未来在存储技术的互动合作奠定基础。

  成立已逾15年的台湾信息储存技术协会一直致力于加速台湾信息储存关键性技术研发与产品的规格创新,推动上、中、下游之分工与整合,解决共通性之技术问题,建立完整的信息储存基础环境与产业体系。

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