2017年3月27日，为纪念施敏教授“浮动闸极存储效应(Floating Gate Memory)”发明50周年，“非挥发性存储 – 数字时代的技术推动力”国际研讨会在台湾交通大学举办。
本次研讨会邀请了施敏教授等7位在非挥发性存储技术领域的顶尖国际专家演讲，并分享了他们对未来存储技术发展趋势的观点。中国科学院院士、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室主任刘明等来自全球各地的百余名业界专家学者、企业代表和交通大学学生参加了本次研讨会。我公司代表也应邀参加了了本次活动 。
50年前，施敏教授和其领导的团队发明了浮动闸极存储效应技术，从而引发了在非挥发性存储技术方面的科技革命并一直延续到今天。浮动闸极存储效应的发明为后来一系列存储器件（包括Flash存储器和EEPROM等）的诞生创造了条件，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件，对人类科技进步产生了积极推动作用，尤其是对存储器领域的进步产生了重大影响。
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