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国际知名专家施敏教授专题演讲顺利举办

发布时间:2019-03-28 文章来源:本站  浏览次数:4889

 

 

 

  3月26日上午,由安徽省外国专家局主办,合肥高新技术产业开发区、中国科技大学微电子学院、安徽大学电子信息工程学院、合肥市半导体行业协会承办的施敏院士-海外名师大讲堂在书法大厦隆重举办。省经济和信息化厅副厅长王厚亮出席了活动。本次大讲堂由合肥市半导体行业协会理事长陈军宁主持。

 

  施敏教授带来了题为“浮栅存储器:从概念到闪存到第四次工业革命的演变(The Floating-Gate Memory, from Concept to Flash Memory to the Fourth Industrial Revolution)”的学术报告。施敏教授回顾了他本人发明浮栅结构非挥发性存储器的具体过程,讲述了浮栅存储器的工作原理、优点和随后的发展历程,详细介绍了浮栅存储器的广泛的应用和对经济社会发展的深远影响,分析了浮栅存储器在尺寸微缩过程中面临的挑战以及各类新型非易失存储器的优点和前景。在互动环节,施敏教授一一回答了参会代表提出的问题,并鼓励正在或者即将投身半导体事业的有识之士努力奋斗,为中国集成电路产业实现中国芯贡献自己的力量!

  来自协会会员单位晶合集成电路、宏晶微电子等企业组织研发人员、在职培训人员等参加了本次活动,此外安徽大学、合肥学院的相关专业师生共计300余人参加了本次讲座。

 

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  施敏,1936年出生于南京,美籍华人。现任中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士、中国台湾中央研究院院士、中国台湾工业研究院院士、IEEE Life Fellow。1991年获得IEEE电子器件最高荣誉奖(Ebers奖);2017年与Gordon E Moore(摩尔定律之父)共同获得IEEE Celebrated Member(尊荣会员)称号,目前全球仅10位科学家获此殊荣,包括1973年诺贝尔物理奖得主Leo Esaki、2000年诺贝尔物理奖得主Herbert Kroemer及2009年诺贝尔物理奖得主George E. Smith。

  施敏先生是国际著名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家,是非挥发MOS场效应记忆晶体管(NVSM)的发明者,在金半接触、微波器件及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术等领域作出了奠基性、前瞻性和开创性的贡献(2017 IEDM Plenary Awards评)。施敏先生发明的非挥发MOS场效应记忆晶体管(闪存)已成为当今世界上集成电路产业主导产品之一,是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件,还促进了人工智能、大数据、云计算、物联网、机器人和固态驱动器等技术的发展。因此项发明,他已多次获得诺贝尔物理奖提名。

  施敏先生在微电子科学技术著作方面举世闻名,所著的《半导体器件物理学》(Physics of Semiconductor Devices)是目前全世界所有工程及应用科学领域最畅销的教科书之一,曾被翻译成六种语言,销售超过600万册,引用次数达47500多次,有“半导体界的圣经”之称。

 

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